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Transistor
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Polarité transistor NPN Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 80V Fréquence de transition ft 700MHz Dissipation de puissance Pd 800mW Courant de collecteur DC 150mA Gain en courant DC hFE 80hFE Type de boîtier de transistor TO-39 Nombre de broches 3Broche(s) Température de fonctionnement max.. 175°C
Polarité transistor NPN Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 40V Fréquence de transition ft 300MHz Dissipation de puissance Pd 800mW Courant de collecteur DC 600mA Gain en courant DC hFE 300hFE Type de boîtier de transistor TO-39 Nombre de broches 3Broche(s) Température de fonctionnement max.. 175°C
Boitier TO92
TO-18 NPN 40V 0.8A
2N2369A 2N2369 Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 15 V, 500 MHz, 360 mW, 200 mA, 40 hFE
Polarité transistor PNP Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 40V Fréquence de transition ft 200MHz Dissipation de puissance Pd 3W Courant de collecteur DC 600mA Gain en courant DC hFE 100hFE Type de boîtier de transistor TO-39 Nombre de broches 3Broche(s) Température de fonctionnement max.. 200°C
2N2907 transistor PNP
VCBO Collector-Base Voltage (IE = 0) 100 VVCER Collector-Emitter Voltage (RBE £ 100W) 70 VVCEO Collector-Emitter Voltage (IB = 0) 60 VVEBO Emitter-Base Voltage (IC = 0) 7 VIC Collector Current 15 AIB Base Current 7 ATj Max. Operating Junction Temperature 200 oCTstg Storage Temperature -65 to 200 oCPtot Total Dissipation at Tc £ 25 oC 115 W
Collector-Emitter Volt (Vceo): 350V Collector-Base Volt (Vcbo): 450V Collector Current (Ic): 1.0A hfe: 40-160 @ 20mA Power Dissipation (Ptot): 1000mW Current-Gain-Bandwidth (ftotal): 15MHz Type: NPN Boitier:TO-39
2n3441 MEDIUM POWERSILICON NPNTRANSISTOR (Photo non contractuel)
2N3904 Transistor NPN Boitier TO92
Transistor PNP Boitier TO92
2N4901 Transistor de puissance PNP TO-3
Transistor pour amplification, idéal pour effet guitare
2N60 FQPF2N60C Transistor MOSFET N-Ch TO-220F N-Channel 600V 2A (Ta) 23W (Tc)
2N6043G Transistor Darlington Bipolaire 8A 60V NPN boitier TO-220
2N6386 TO-220 NPN DARLINGTON 8A 40V 65W B>1000
2N7000 Transistor MOSFET N-Ch TO-92 200 mA, 60 Volts
2SC1008 C1008 Transistor NPN 80V 700mA TO-92 Voir photo
Collector-Emitter Volt (Vceo): 50V Collector-Base Volt (Vcbo): 60V Collector Current (Ic): 0.15A hfe: 70-700 @ 2mA Power Dissipation (Ptot): 400mW Current-Gain-Bandwidth (ftotal): 80MHz Type: NPN Voir Datasheet
2SC2500 transistor NPN, 30 V, 2 A, TO-92MOD Ucbo30 V Ic2 A Ptot0.9 W fT150 MHz
2SC2501 transistor NPN TO-92MOD
2SC2625 Transistor NPN de puissance TO-3P Collector-Emitter Volt (Vceo): 400V Collector-Base Volt (Vcbo): 450V Collector Current (Ic): 10A hfe: 10 @ 4000mA Power Dissipation (Ptot): 80W Type: NPN
2SD1866 Medium Power Transistor
2SK117-BL TRANSISTOR JFET-N TO-92
2SK117-GR TRANSISTOR JFET-N TO-92
2SK163 TRANSISTOR FET-N TO-92
2SK184 GR - K184 GR Transistor Silicon NPN TO92S Amplificateur faible bruit Voir Datasheet
2SK3565 Transistor MOSFET N-Ch TO-220F N-Channel 900V 5A (Ta) 45W (Tc)
2SK3569 Transistor MOSFET N-Ch TO-220F N-Channel 600V 10A (Ta) 45W (Tc)
47n60c3 Transistor de puissance MOSFET N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3 Tension drain-source (Vdss) 650V Courant - Drain continu (Id) à 25°C 47 A (Tc) Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10 V Dissipation de puissance (max) 415 W (Tc) Rds passant (max.) à Id, Vgs 70 mOhms à 30 A, 10 V Température...
A733 Transistor NPN TO-92
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 45V Fréquence de transition ft: 100MHz Dissipation de puissance Pd: 625mW Courant de collecteur DC: 500mA Courant, Ic (hfe): 100mA Courant, Ic max.. permanent a: 500mA Gain Bande-passante ft, typ.: 200MHz Hfe, min.: 100 Puissance, Ptot: 800mW Température de fonctionnement: -65°C à +150°C Tension, Vcbo:...
TRANSISTOR NPN TO-92 Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 65V Fréquence de transition ft: 300MHz Dissipation de puissance Pd: 500mW Gain en courant DC hFE: 200 Température de fonctionnement max..: 150°C MSL: MSL 1 - Illimité Courant, Ic max.. permanent a: 100mA Hfe, min.: 200 Tension Collecteur-Emetteur Vces: 250mV
TRANSISTOR NPN TO-92 Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 30V Fréquence de transition ft: 300MHz Dissipation de puissance Pd: 500mW Gain en courant DC hFE: 110 Température de fonctionnement max..: 150°C MSL: MSL 1 - Illimité Courant, Ic max.. permanent a: 100mA Hfe, min.: 200 Tension Collecteur-Emetteur Vces: 250mV
BC550B Transistor faible bruit
BC640 Transistor simple bipolaire (BJT), PNP, -80 V, 150 MHz, 800 mW, -1 A, 100 hFE
Transistor CMS BC857B Format SOT-23
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