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2N1893 Transistor simple bipolaire (BJT),NPN, 80 V, 70 MHz, 800 mW, 150 mA, 80 hFE...

Polarité transistor NPN Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 80V Fréquence de transition ft 700MHz Dissipation de puissance Pd 800mW Courant de collecteur DC 150mA Gain en courant DC hFE 80hFE Type de boîtier de transistor TO-39 Nombre de broches 3Broche(s) Température de fonctionnement max.. 175°C

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2N2219A Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 40 V, 300 MHz, 800 mW, 600 mA, 300...

Polarité transistor NPN Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 40V Fréquence de transition ft 300MHz Dissipation de puissance Pd 800mW Courant de collecteur DC 600mA Gain en courant DC hFE 300hFE Type de boîtier de transistor TO-39 Nombre de broches 3Broche(s) Température de fonctionnement max.. 175°C

2,49 €
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2N2222 transistor NPN Boitier TO92

Boitier TO92

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2N2222A 2N2222 NPN 40V 0.8A Boitier TO18

TO-18 NPN 40V 0.8A

1,45 €
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2N2369A 2N2369 Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 15 V, 500 MHz, 360 mW, 200...

2N2369A 2N2369 Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 15 V, 500 MHz, 360 mW, 200 mA, 40 hFE

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2N2905 Transistor simple bipolaire (BJT),Commutation rapide, PNP, 40 V, 200 MHz, 3...

Polarité transistor PNP Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 40V Fréquence de transition ft 200MHz Dissipation de puissance Pd 3W Courant de collecteur DC 600mA Gain en courant DC hFE 100hFE Type de boîtier de transistor TO-39 Nombre de broches 3Broche(s) Température de fonctionnement max.. 200°C

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2N2907 transistor PNP 2N 2907

2N2907 transistor PNP

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2n3055 Transistor NPN TO3

VCBO Collector-Base Voltage (IE = 0) 100 VVCER Collector-Emitter Voltage (RBE £ 100W) 70 VVCEO Collector-Emitter Voltage (IB = 0) 60 VVEBO Emitter-Base Voltage (IC = 0) 7 VIC Collector Current 15 AIB Base Current 7 ATj Max. Operating Junction Temperature 200 oCTstg Storage Temperature -65 to 200 oCPtot Total Dissipation at Tc £ 25 oC 115 W

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2N3439 NPN transistor de haut voltage

Collector-Emitter Volt (Vceo): 350V Collector-Base Volt (Vcbo): 450V Collector Current (Ic): 1.0A hfe: 40-160 @ 20mA Power Dissipation (Ptot): 1000mW Current-Gain-Bandwidth (ftotal): 15MHz Type: NPN Boitier:TO-39

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2n3441 MEDIUM POWER SILICON NPN TRANSISTOR

2n3441 MEDIUM POWERSILICON NPNTRANSISTOR (Photo non contractuel)

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2N3904 Transistor NPN

2N3904 Transistor NPN Boitier TO92

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2N3906 Transistor PNP

Transistor PNP Boitier TO92

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2N4901 Transistor de puissance PNP TO-3

2N4901 Transistor de puissance PNP TO-3

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2N5088 Transistor NPN pour amplification

Transistor pour amplification, idéal pour effet guitare

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2N5089 Transistor NPN pour amplification

Transistor pour amplification, idéal pour effet guitare

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2N60 FQPF2N60C Transistor MOSFET N-Ch TO-220F

2N60 FQPF2N60C Transistor MOSFET N-Ch TO-220F N-Channel 600V 2A (Ta) 23W (Tc)

1,90 €
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2N6043G Transistor Darlington Bipolaire 8A 60V NPN boitier TO-220

2N6043G Transistor Darlington Bipolaire 8A 60V NPN boitier TO-220

0,80 €
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2N6386

2N6386 TO-220 NPN DARLINGTON 8A 40V 65W B>1000

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2N7000 Transistor MOSFET N-Ch TO-92

2N7000 Transistor MOSFET N-Ch TO-92 200 mA, 60 Volts

0,30 €
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2SC1008 C1008 Transistor NPN 80V 700mA TO-92

2SC1008 C1008 Transistor NPN 80V 700mA TO-92 Voir photo

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2SC1815 Transistor NPN TO92

Collector-Emitter Volt (Vceo): 50V Collector-Base Volt (Vcbo): 60V Collector Current (Ic): 0.15A hfe: 70-700 @ 2mA Power Dissipation (Ptot): 400mW Current-Gain-Bandwidth (ftotal): 80MHz Type: NPN Voir Datasheet

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2SC2500 transistor NPN, 30 V, 2 A, TO-92MOD

2SC2500 transistor NPN, 30 V, 2 A, TO-92MOD Ucbo30 V Ic2 A Ptot0.9 W fT150 MHz

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2SC2501 transistor NPN TO-92MOD

2SC2501 transistor NPN TO-92MOD

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2SC2625 Transistor NPN de puissance TO-3P

2SC2625 Transistor NPN de puissance TO-3P Collector-Emitter Volt (Vceo): 400V Collector-Base Volt (Vcbo): 450V Collector Current (Ic): 10A hfe: 10 @ 4000mA Power Dissipation (Ptot): 80W Type: NPN

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2SD1866 Medium Power Transistor

2SD1866 Medium Power Transistor

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2SK117-BL TRANSISTOR JFET-N TO-92

2SK117-BL TRANSISTOR JFET-N TO-92

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2SK117-GR TRANSISTOR JFET-N TO-92

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2SK163 TRANSISTOR FET-N TO-92

2SK163 TRANSISTOR FET-N TO-92

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2SK184 GR - K184 GR Transistor Silicon NPN TO92S Amplificateur faible bruit

2SK184 GR - K184 GR Transistor Silicon NPN TO92S Amplificateur faible bruit Voir Datasheet

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2SK3565 Transistor MOSFET N-Ch TO-220F

2SK3565 Transistor MOSFET N-Ch TO-220F N-Channel 900V 5A (Ta) 45W (Tc)

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2SK3569 Transistor MOSFET N-Ch TO-220F

2SK3569 Transistor MOSFET N-Ch TO-220F N-Channel 600V 10A (Ta) 45W (Tc)

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47n60c3 Transistor de puissance MOSFET N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3

47n60c3 Transistor de puissance MOSFET N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3 Tension drain-source (Vdss) 650V Courant - Drain continu (Id) à 25°C 47 A (Tc) Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10 V Dissipation de puissance (max) 415 W (Tc) Rds passant (max.) à Id, Vgs 70 mOhms à 30 A, 10 V Température...

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BC327 Boitier TO92 transistor PNP

Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 45V Fréquence de transition ft: 100MHz Dissipation de puissance Pd: 625mW Courant de collecteur DC: 500mA Courant, Ic (hfe): 100mA Courant, Ic max.. permanent a: 500mA Gain Bande-passante ft, typ.: 200MHz Hfe, min.: 100 Puissance, Ptot: 800mW Température de fonctionnement: -65°C à +150°C Tension, Vcbo:...

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BC337 Boitier TO92 transistor NPN

Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 45V Fréquence de transition ft: 100MHz Dissipation de puissance Pd: 625mW Courant de collecteur DC: 500mA Courant, Ic (hfe): 100mA Courant, Ic max.. permanent a: 500mA Gain Bande-passante ft, typ.: 200MHz Hfe, min.: 100 Puissance, Ptot: 800mW Température de fonctionnement: -65°C à +150°C Tension, Vcbo:...

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BC546B - TRANSISTOR NPN TO-92

TRANSISTOR NPN TO-92 Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 65V Fréquence de transition ft: 300MHz Dissipation de puissance Pd: 500mW Gain en courant DC hFE: 200 Température de fonctionnement max..: 150°C MSL: MSL 1 - Illimité Courant, Ic max.. permanent a: 100mA Hfe, min.: 200 Tension Collecteur-Emetteur Vces: 250mV

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BC548B - TRANSISTOR NPN TO-92

TRANSISTOR NPN TO-92 Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 30V Fréquence de transition ft: 300MHz Dissipation de puissance Pd: 500mW Gain en courant DC hFE: 110 Température de fonctionnement max..: 150°C MSL: MSL 1 - Illimité Courant, Ic max.. permanent a: 100mA Hfe, min.: 200 Tension Collecteur-Emetteur Vces: 250mV

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BC550B Transistor faible bruit

BC550B Transistor faible bruit

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BC640 - BC640ECB Transistor bipolaire PNP TO-92

BC640 Transistor simple bipolaire (BJT), PNP, -80 V, 150 MHz, 800 mW, -1 A, 100 hFE

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BC857B SOT-23

Transistor CMS BC857B Format SOT-23

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BD244C Transistor simple bipolaire (BJT), PNP, 100 V, 65 W, 6 A, 30 hFE

BD244C Polarité transistor:PNP Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V Dissipation de puissance Pd:65W Courant de collecteur DC:6A Gain en courant DC hFE:30hFE Type de boîtier de transistor:TO-220 Nombre de broches:3Broche(s) Température de fonctionnement max..:150°C

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