Transistors

VCBO Collector-Base Voltage (IE = 0) 100 V
VCER Collector-Emitter Voltage (RBE £ 100W) 70 V
VCEO Collector-Emitter Voltage (IB = 0) 60 V
VEBO Emitter-Base Voltage (IC = 0) 7 V
IC Collector Current 15 A
IB Base Current 7 A
Tj Max. Operating Junction Temperature 200 oC
Tstg Storage Temperature -65 to 200 oC
Ptot Total Dissipation at Tc £ 25 oC 115 W

Transistor de puissance pour réparation de chauffage et climatisation pour differents véhicule

55V 110A 200W

Equivalent pour STP80NF55-08, BUZ342, RFP064N

IRF3710S IRF3710 F3710 transistor de puissance  MOSFET

idéal pour réparation compteur scénic 2 et espace 4

• Collector-Emitter Volt (Vceo): 350V
• Collector-Base Volt (Vcbo): 450V
• Collector Current (Ic): 1.0A
• hfe: 40-160 @ 20mA

• Power Dissipation (Ptot): 1000mW

• Current-Gain-Bandwidth (ftotal): 15MHz
• Type: NPN
• Boitier:TO-39

BDX66A Transistor TO3 PNP Darlington

BDX66C Transistor TO3 PNP Darlington

• Model: IXTA36N30P
• Manufactured by: IXYS
• VDSS Max (V) : 300
• ID(cont) TC=25°C (A) : 36
• RDS(on) Max TJ=25°C (?) : 0.1100
• Ciss Typ (pF) : 2250
• Qg Typ (nC) : 70
• trr Typ (ns) : 250
• PD (W) : 300
• RthJC Max (ºC/W) : 0.42

• Type : NPN
• Collector-Emitter Voltage : 45V
• Collector Current (DC) (Max) : 100mA
• Emitter-Base Voltage (Max) : 6V
• Collector-Base Voltage (Max) : 50V
• Power Dissipation : 0.5W

• TRANSISTOR NPN TO-92
• Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 30V
• Fréquence de transition ft: 300MHz
• Dissipation de puissance Pd: 500mW
• Gain en courant DC hFE: 110
• Température de fonctionnement max..: 150°C
• MSL: MSL 1 - Illimité
• Courant, Ic max.. permanent a: 100mA
• Hfe, min.: 200
• Tension Collecteur-Emetteur Vces: 250mV