1N34A Diode Germanium 1N34 DO-35
RJP30H2A transistor N Channel IGBT 360V 35A TO-263
RFN20 RFN20NS3SW diode de recouvrement rapide TO-263
Vendu a l'unité
Diode RF1501NS3S
Tension, Vrrm:350V Courant, If moy.:20A Type de boîtier de diode:TO-263Tension, Vf max..:1.5vCourant, Ifs max.:100A Température de fonctionnement max..:150°C