GT30F131 30F131 transistor IGBT MOSFET TO220F
RJP30H2A transistor N Channel IGBT 360V 35A TO-263
Diode RF1501NS3S
Tension, Vrrm:350V Courant, If moy.:20A Type de boîtier de diode:TO-263Tension, Vf max..:1.5vCourant, Ifs max.:100A Température de fonctionnement max..:150°CRJP30E2 transistor N Channel IGBT 360V 35A TO-220F