Voici un guide explicatif sur les différents types de loupes et systèmes de grossissement utilisés en électronique,...
Transistors
Catégories
Catégories du blog
Rechercher dans le blog
Articles archivés
TIP102 Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 100 V, 80 W, 8 A, 200 hFE
TIP102 Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 100 V, 80 W, 8 A, 200 hFE
TIP127 Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, PNP, -100 V, 65 W, -5 A, 1000 hFE
TIP127 Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, PNP, -100 V, 65 W, -5 A, 1000 hFE
TIP142T Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 100 V, 80 W, 10 A, 500 hFE
TIP142T Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, NPN, 100 V, 80 W, 10 A, 500 hFE
TIP147T Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, PNP, 100 V, 90 W, 15 A, 1000 hFE
TIP147T Transistor simple bipolaire (BJT), Darlington, PNP, 100 V, 90 W, 15 A, 1000 hFE
R6015ANX Transistor 600V 15A Power MOSFET N-Ch TO-220F
R6015ANX Transistor 600V 15A Power MOSFET N-Ch TO-220F
2N60 FQPF2N60C Transistor MOSFET N-Ch TO-220F
2N60 FQPF2N60C Transistor MOSFET N-Ch TO-220F
N-Channel 600V 2A (Ta) 23W (Tc)
RJP30E2 transistor N Channel IGBT 360V 35A TO-220F
RJP30E2 transistor N Channel IGBT 360V 35A TO-220F
MJE13009 Transistor de puissance 12A 400V NPN TO-220AB
MJE13009 Transistor de puissance 12A 400V NPN TO-220AB
MDF10N65B Transistor MOSFET TO-220F
RDS(on) = 0.85Ω
ID = 10A
P1060ATF NIKOS transistor MOSFET n-channel TO220F
Maximum Power Dissipation (Pd): 40 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 600 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V
Maximum Drain Current |Id|: 10 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Rise Time (tr): 30 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 170 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.75 Ohm
FQPF5N50C 5N50C transistor MOSFET n-channel TO220F
Maximum Power Dissipation (Pd): 38 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 500 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V
Maximum Drain Current |Id|: 5 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Total Gate Charge (Qg): 24 nC
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 1.4 Ohm
NIKOS P0920ATF Transistor N-channel 200V 9A MOS FET TO220F
CPH5524-TL-E CPH5524 SOT-23-5 50V 3A Transistor bipolaire NPN+PNP
NGD8201AG 8201AG transistor 400V 20A TO-252
IRFP140N IRFP140 transistor de puissance MOSFET
IRFP140N IRFP140 transistor de puissance MOSFET
100V 21A
Alternative plus puissante à l'IRF540
IRFP240N IRFP240 transistor de puissance MOSFET
IRFP240N IRFP240 transistor de puissance MOSFET
200V 20A
2N5087 Transistor PNP pour amplification
Transistor pour amplification, idéal pour effet guitare
Voir datasheet
BS250 Transistor P-FET TO-92 Siliconix
BS250 Transistor P-FET TO-92 (E-Line) 45 V 0,18 A 0,83 W
Fabricant : Siliconix
BD135 Transistor NPN 45V 1.5A 1.25W TO-126 Traversant
BD135 Transistor NPN 45V 1.5A 1.25W TO-126 Traversant
2N2905A Transistor simple bipolaire (BJT),Commutation rapide, PNP, 40 V, 200 MHz, 3 W, 600 mA, 100 hFE TO-39
- Polarité transistor PNP
- Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 40V
- Fréquence de transition ft 200MHz
- Dissipation de puissance Pd 3W
- Courant de collecteur DC 600mA
- Gain en courant DC hFE 100hFE
- Type de boîtier de transistor TO-39
- Nombre de broches 3Broche(s)
- Température de fonctionnement max.. 200°C
Transistor D882 2SD882 NPN 40V 3A SOT-32 TO-126 NEC
Transistor D882 2SD882 NPN 40V 3A SOT-32 TO-126
Marque:NEC
FGD4536TM IGBT 220A 360V DPAK, 3 broches transistor TO-252
2SA1725 Transistor simple bipolaire (BJT), PNP, 80V,6A,20MHz
2SA1725 Transistor simple bipolaire (BJT), PNP, 80V,6A,20MHz
IRFZ44NS transistor de puissance MOSFET TO-252-3
RDS(on) = 175mΩ
ID = 49A
50R380 - 50R380P - transistor MOSFET N-CH 500V 11A TO252
50R380 - 50R380P - transistor MOSFET N-CH 500V 11A TO252
6N80 FQPF6N80C Transistor MOSFET N-Ch TO-220F
6N80 FQPF6N80C Transistor MOSFET N-Ch TO-220F
N-Channel 800V 6A (Ta) 23W (Tc)
P6NK90ZFP Transistor MOSFET TO-220F
2SD313 D313-Y TRANSISTOR NPN 60V 3A 30W 8MHZ boitier TO-220
2SD313 D313-Y TRANSISTOR NPN 60V 3A 30W 8MHZ boitier TO-220