Transistors

BDX33C Transistor NPN de puissance

Format TO220

2N3904 Transistor NPN

Boitier TO92

2N3906 Transistor PNP

Boitier TO92

2N2907 transistor PNP

2N2222 transistor NPN Boitier TO92

Transistor pour amplification, idéal pour effet guitare

2N6386

TO-220 NPN DARLINGTON

8A 40V 65W B>1000

TO-18 NPN 40V 0.8A

MJ15015 Transistor bipolaire

idéal pour reparer ampli ou autre

MJ15016 Transistor bipolaire

idéal pour reparer ampli ou autre

J201 JFET N-Channel Transistor 50A 40V TO-92
Package / Case: TO-92
RoHS: Yes
Drain-Gate Voltage: 40V max
Gate-Source Voltage: -40V max
Forward Gate Current: 50mA max
Gate-Source Cutoff Voltage (min/max): -0.3V/-1.5V
Zero-Gate Voltage Drain Current (min/max): 0.2mA/1mA
Power Dissipation: 625mW

VCBO Collector-Base Voltage (IE = 0) 100 V
VCER Collector-Emitter Voltage (RBE £ 100W) 70 V
VCEO Collector-Emitter Voltage (IB = 0) 60 V
VEBO Emitter-Base Voltage (IC = 0) 7 V
IC Collector Current 15 A
IB Base Current 7 A
Tj Max. Operating Junction Temperature 200 oC
Tstg Storage Temperature -65 to 200 oC
Ptot Total Dissipation at Tc £ 25 oC 115 W

Transistor de puissance pour réparation de chauffage et climatisation pour differents véhicule

55V 110A 200W

Equivalent pour STP80NF55-08, BUZ342, RFP064N

IRF3710S IRF3710 F3710 transistor de puissance  MOSFET

idéal pour réparation compteur scénic 2 et espace 4

• Collector-Emitter Volt (Vceo): 350V
• Collector-Base Volt (Vcbo): 450V
• Collector Current (Ic): 1.0A
• hfe: 40-160 @ 20mA

• Power Dissipation (Ptot): 1000mW

• Current-Gain-Bandwidth (ftotal): 15MHz
• Type: NPN
• Boitier:TO-39

BDX66A Transistor TO3 PNP Darlington

BDX66C Transistor TO3 PNP Darlington

• Model: IXTA36N30P
• Manufactured by: IXYS
• VDSS Max (V) : 300
• ID(cont) TC=25°C (A) : 36
• RDS(on) Max TJ=25°C (?) : 0.1100
• Ciss Typ (pF) : 2250
• Qg Typ (nC) : 70
• trr Typ (ns) : 250
• PD (W) : 300
• RthJC Max (ºC/W) : 0.42

• Type : NPN
• Collector-Emitter Voltage : 45V
• Collector Current (DC) (Max) : 100mA
• Emitter-Base Voltage (Max) : 6V
• Collector-Base Voltage (Max) : 50V
• Power Dissipation : 0.5W

• TRANSISTOR NPN TO-92
• Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 30V
• Fréquence de transition ft: 300MHz
• Dissipation de puissance Pd: 500mW
• Gain en courant DC hFE: 110
• Température de fonctionnement max..: 150°C
• MSL: MSL 1 - Illimité
• Courant, Ic max.. permanent a: 100mA
• Hfe, min.: 200
• Tension Collecteur-Emetteur Vces: 250mV

• Transistor NPN Darlington boitier TO-220
• Dissipation de puissance Pd: 2W
• Gain en courant DC hFE: 1000
• Température de fonctionnement max..: 150°C
• Courant, Ic (hfe): 3A
• Courant, Ic max.. permanent a: 5A
• Hfe, min.: 1000
• Puissance, Ptot: 65W
• Température, puissance: 25°C
• Tension de saturation Collecteur-Emetteur Vce(on): 2V

Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 45V
Fréquence de transition ft: 100MHz
Dissipation de puissance Pd: 625mW
Courant de collecteur DC: 500mA
Courant, Ic (hfe): 100mA
Courant, Ic max.. permanent a: 500mA
Gain Bande-passante ft, typ.: 200MHz
Hfe, min.: 100
Puissance, Ptot: 800mW
Température de fonctionnement: -65°C à +150°C
Tension, Vcbo: 50V

• Collector-Emitter Volt (Vceo): 300V
• Collector-Base Volt (Vcbo): 300V
• Collector Current (Ic): 0.5A
• hfe: 40 @ 10mA
• Power Dissipation (Ptot): 625mW
• Current-Gain-Bandwidth (ftotal): 50MHz
• Type: PNP

BC550B Transistor faible bruit

Courant  3A
Voltage 100V
Transistor Type NPN
Features Medium Power Linear & Switching

Courant  6A
Voltage 100V
Transistor Type NPN
Features Medium Power Linear & Switching

Courant  6A
Voltage 100V
Transistor Type PNP
Features Medium Power Linear & Switching

Courant  1A
Voltage 100V
Transistor Type NPN
Features Medium Power Linear & Switching

Courant  5A
Voltage 60V
Transistor Type NPN
Darlington

ideal pour réparation chauffage et climatisation de votre véhicule.
Utilisé dans les véhicules: Citroen Xsara, Xantia, Piccsso, Peugeot 406, Renault Scenic...

MJ11016  Transistor Darlington NPN TO-3

• Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 120V
• Courant de collecteur DC: 30A
• Gain en courant DC hFE: 1000
• Dissipation de puissance Pd: 200W

MJ11015  Transistor Darlington PNP TO-3

• Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 120V
• Courant de collecteur DC: 30A
• Gain en courant DC hFE: 1000
• Dissipation de puissance Pd: 200W

Courant  -5A
Voltage -60V
Transistor Type PNP
Darlington

2N4901 Transistor de puissance PNP TO-3

• Type : NPN
• Collector-Emitter Voltage : 45V
• Collector Current (DC) (Max) : 100mA
• Emitter-Base Voltage (Max) : 6V
• Collector-Base Voltage (Max) : 50V
• Power Dissipation : 0.5W

S9012H PNP Transistor faible signal

S9015C PNP Transistor faible signal

S9013H NPN Transistor faible signal

S9014C NPN Transistor faible signal

S9018H NPN Transistor faible signal

2SK184 GR - K184 GR Transistor Silicon NPN TO92S Amplificateur faible bruit

Voir Datasheet

• Collector-Emitter Volt (Vceo): 50V
• Collector-Base Volt (Vcbo): 60V
• Collector Current (Ic): 0.15A
• hfe: 70-700 @ 2mA
• Power Dissipation (Ptot): 400mW
• Current-Gain-Bandwidth (ftotal): 80MHz
• Type: NPN

Voir Datasheet

Type:     IRL3705NS
Modèle:Canal N
Boîtier:D2PAK
ID:89 A
UDS:55 V
RDS(on):0.01 Ω
ID@HighTemp:63 A
Rth max:0.9 °C/W
Description:50 V/89 A
ID@25°C:89 A

Transistor LM334 Z Source de courant ajustable TO92

IRFP9240 transistor de puissance MOSFET

200V 12A 0.500 ohm

MJE13003 Transistor de puissance 1.5A 400V NPN TO-126

• Polarité transistor NPN
• Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 40V
• Fréquence de transition ft 300MHz
• Dissipation de puissance Pd 800mW
• Courant de collecteur DC 600mA
• Gain en courant DC hFE 300hFE
• Type de boîtier de transistor TO-39
• Nombre de broches 3Broche(s)
• Température de fonctionnement max.. 175°C

BT136-600E TRIAC TO-220

TL431ACLP Reference de tension

Format:TO92

Transistor CMS BC857B Format SOT-23

Transistor bipolaire NPN 8A 50V

Triac BTA16-800B 800V 16A TO220

Triac BTA16-600B 600V 16A TO220

IRFP260N IRFP260 transistor de puissance MOSFET

200V 46A

• Polarité transistor NPN
• Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 80V
• Fréquence de transition ft 700MHz
• Dissipation de puissance Pd 800mW
• Courant de collecteur DC 150mA
• Gain en courant DC hFE 80hFE
• Type de boîtier de transistor TO-39
• Nombre de broches 3Broche(s)
• Température de fonctionnement max.. 175°C

• Polarité transistor PNP
• Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 40V
• Fréquence de transition ft 200MHz
• Dissipation de puissance Pd 3W
• Courant de collecteur DC 600mA
• Gain en courant DC hFE 100hFE
• Type de boîtier de transistor TO-39
• Nombre de broches 3Broche(s)
• Température de fonctionnement max.. 200°C

S8550D Transistor  bipolaire PNP TO-92

Voir datasheet

IRLZ44N IRLZ44 transistor de puissance MOSFET

55V 47A

• Polarité transistor:PNP
• Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V
• Dissipation de puissance Pd:65W
• Courant de collecteur DC:6A
• Gain en courant DC hFE:30hFE
• Type de boîtier de transistor:TO-220
• Nombre de broches:3Broche(s)
• Température de fonctionnement max..:150°C

2N2369A 2N2369 Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 15 V, 500 MHz, 360 mW, 200 mA, 40 hFE

IRF740 Transistor de puissance MOSFET 400V

Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 400 V.

Courant de Drain maxi (@25°C): 10 A.

Courant de Drain maxi (@100°C): 6.3 A.

47n60c3 Transistor de puissance MOSFET N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3

Tension drain-source (Vdss)     650V     
Courant - Drain continu (Id) à 25°C     47 A (Tc)     
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)     10 V     
Dissipation de puissance (max)     415 W (Tc)     
Rds passant (max.) à Id, Vgs     70 mOhms à 30 A, 10 V     
Température d’utilisation     -55 °C ~ 150 °C (TJ)     

Transistor pour amplification, idéal pour effet guitare

P80NE03L Transistor de puissance MOSFET N- 30V 80A TO220

GT30F131 30F131 transistor IGBT MOSFET TO220F

RJP30H2A transistor N Channel  IGBT 360V 35A TO-263

2SC2500 transistor NPN, 30 V, 2 A, TO-92MOD

• Ucbo30 V
• Ic2 A
• Ptot0.9 W
• fT150 MHz

GT30F131 30F131 transistor IGBT MOSFET TO263

2SC2625 Transistor NPN de puissance TO-3P

• Collector-Emitter Volt (Vceo): 400V
• Collector-Base Volt (Vcbo): 450V
• Collector Current (Ic): 10A
• hfe: 10 @ 4000mA
• Power Dissipation (Ptot): 80W
• Type: NPN

2SK3565 Transistor MOSFET N-Ch TO-220F

N-Channel 900V 5A (Ta) 45W (Tc)

2SK3569 Transistor MOSFET N-Ch TO-220F

N-Channel 600V 10A (Ta) 45W (Tc)

H30R1602 IGBT 1600V 30A Transistor TO-247

Transistor MPS-U45 MPSU45 SILICON NPN DARLINGTON TO-202

2SC1008 C1008 Transistor NPN 80V 700mA TO-92

Voir photo

• TRANSISTOR NPN TO-92
• Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 65V
• Fréquence de transition ft: 300MHz
• Dissipation de puissance Pd: 500mW
• Gain en courant DC hFE: 200
• Température de fonctionnement max..: 150°C
• MSL: MSL 1 - Illimité
• Courant, Ic max.. permanent a: 100mA
• Hfe, min.: 200
• Tension Collecteur-Emetteur Vces: 250mV

2N7000 Transistor MOSFET N-Ch TO-92

200 mA, 60 Volts

Triac BTB16-600B 600V 16A TO220