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2N3904 Transistor NPN

2N3904 Transistor NPN

Boitier TO92

Prix 0,40 €
Disponibilité: 18 Disponibles

2N3906 Transistor PNP

2N3906 Transistor PNP

Boitier TO92

Prix 0,40 €
Disponibilité: 5044 Disponibles

MTP23P06V

MTP23P06V
MOSFET DE PUISSANCE 23 Amp 60V
Prix 3,50 €
Disponibilité: 104 Disponibles

2N6386

2N6386

TO-220 NPN DARLINGTON

8A 40V 65W B>1000

Prix 4,00 €
Disponibilité: 100 Disponibles

J201 JFET N-Channel Transistor 50A 40V TO-92

J201 JFET N-Channel Transistor 50A 40V TO-92
Package / Case: TO-92
RoHS: Yes
Drain-Gate Voltage: 40V max
Gate-Source Voltage: -40V max
Forward Gate Current: 50mA max
Gate-Source Cutoff Voltage (min/max): -0.3V/-1.5V
Zero-Gate Voltage Drain Current (min/max): 0.2mA/1mA
Power Dissipation: 625mW

Prix 1,10 €
Disponibilité: 911 Disponibles

2n3055 Transistor NPN TO3

VCBO Collector-Base Voltage (IE = 0) 100 V
VCER Collector-Emitter Voltage (RBE £ 100W) 70 V
VCEO Collector-Emitter Voltage (IB = 0) 60 V
VEBO Emitter-Base Voltage (IC = 0) 7 V
IC Collector Current 15 A
IB Base Current 7 A

Tj Max. Operating Junction Temperature 200 oC
Tstg Storage Temperature -65 to 200 oC
Ptot Total Dissipation at Tc £ 25 oC 115 W

Prix 6,50 €
Disponibilité: 6 Disponibles

IRFP064N IRFP064 transistor de puissance MOSFET

Transistor de puissance pour réparation de chauffage et climatisation pour differents véhicule

55V 110A 200W

Equivalent pour STP80NF55-08, BUZ342, RFP064N

Prix 4,00 €
Disponibilité: 74 Disponibles

2N3439 NPN transistor de haut voltage

  • Collector-Emitter Volt (Vceo): 350V
  • Collector-Base Volt (Vcbo): 450V
  • Collector Current (Ic): 1.0A
  • hfe: 40-160 @ 20mA
  • Power Dissipation (Ptot): 1000mW
  • Current-Gain-Bandwidth (ftotal): 15MHz
  • Type: NPN
  • Boitier:TO-39
Prix 4,00 €
Disponibilité: 41 Disponibles

Transistor MOSFET IXTA36N30P TO-252 TA36N30P

  • Model: IXTA36N30P
  • Manufactured by: IXYS
  • VDSS Max (V) : 300
  • ID(cont) TC=25°C (A) : 36
  • RDS(on) Max TJ=25°C (?) : 0.1100
  • Ciss Typ (pF) : 2250
  • Qg Typ (nC) : 70
  • trr Typ (ns) : 250
  • PD (W) : 300
  • RthJC Max (ºC/W) : 0.42
Prix 3,50 €
Disponibilité: 10 Disponibles

IRF730 Transistor de puissance MOSFET 400V

Transistor IRF730N-MOS
400V 5.5A/22Ap. 75W 1R (3.3A).
Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 400 V.
Courant de Drain maxi (@25°C): 5.5 A.
Courant de Drain maxi (@100°C): 3.3 A.
Prix 2,50 €
Disponibilité: 31 Disponibles

Transistor NPN BC547B

  • Type : NPN
  • Collector-Emitter Voltage : 45V
  • Collector Current (DC) (Max) : 100mA
  • Emitter-Base Voltage (Max) : 6V
  • Collector-Base Voltage (Max) : 50V
  • Power Dissipation : 0.5W

 

Prix 0,40 €
Disponibilité: 976 Disponibles

Transistor PNP BC557B

Type : PNP

Vceo -45Vdc
Vcbo -50Vdc
Vebo -5Vdc
Ptot 500mW
Boitier TO-92
Prix 0,40 €
Disponibilité: 42 Disponibles

BC548B - TRANSISTOR NPN TO-92

  • TRANSISTOR NPN TO-92
  • Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 30V
  • Fréquence de transition ft: 300MHz
  • Dissipation de puissance Pd: 500mW
  • Gain en courant DC hFE: 110
  • Température de fonctionnement max..: 150°C
  • MSL: MSL 1 - Illimité
  • Courant, Ic max.. permanent a: 100mA
  • Hfe, min.: 200
  • Tension Collecteur-Emetteur Vces: 250mV
Prix 0,40 €
Disponibilité: 64 Disponibles

TIP122 Transistor NPN Darlington boitier TO-220

  • Transistor NPN Darlington boitier TO-220
  • Dissipation de puissance Pd: 2W
  • Gain en courant DC hFE: 1000
  • Température de fonctionnement max..: 150°C
  • Courant, Ic (hfe): 3A
  • Courant, Ic max.. permanent a: 5A
  • Hfe, min.: 1000
  • Puissance, Ptot: 65W
  • Température, puissance: 25°C
  • Tension de saturation Collecteur-Emetteur Vce(on): 2V
Prix 1,40 €
Disponibilité: 31 Disponibles

BC337 Boitier TO92 transistor NPN

Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 45V
Fréquence de transition ft: 100MHz
Dissipation de puissance Pd: 625mW
Courant de collecteur DC: 500mA
Courant, Ic (hfe): 100mA
Courant, Ic max.. permanent a: 500mA
Gain Bande-passante ft, typ.: 200MHz
Hfe, min.: 100
Puissance, Ptot: 800mW
Température de fonctionnement: -65°C à +150°C
Tension, Vcbo: 50V

Prix 0,50 €
Disponibilité: 14 Disponibles

BC327 Boitier TO92 transistor PNP

  • Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 45V
  • Fréquence de transition ft: 100MHz
  • Dissipation de puissance Pd: 625mW
  • Courant de collecteur DC: 500mA
  • Courant, Ic (hfe): 100mA
  • Courant, Ic max.. permanent a: 500mA
  • Gain Bande-passante ft, typ.: 200MHz
  • Hfe, min.: 100
  • Puissance, Ptot: 800mW
  • Température de fonctionnement: -65°C à +150°C
  • Tension, Vcbo: 50V
 
Prix 0,50 €
Disponibilité: 26 Disponibles

KSP92 Transistor PNP Haut Voltage

  • Collector-Emitter Volt (Vceo): 300V
  • Collector-Base Volt (Vcbo): 300V
  • Collector Current (Ic): 0.5A
  • hfe: 40 @ 10mA
  • Power Dissipation (Ptot): 625mW
  • Current-Gain-Bandwidth (ftotal): 50MHz
  • Type: PNP
Prix 0,70 €
Disponibilité: 10 Disponibles

IRLR2905Z transistor Mosfet boitier TO-252 réparation injection

Transistor IRLR2905 pour réparation pompe injection Bosch VP44, VP29, VP30
Véhicule concernés:

AUDI, OPEL, VOLKSWAGEN, BMW, FORD, ROVER, MITSUBISHI, NISSAN, ISUZU, SAAB, VOLVO, SKODA

De 1996 à 2006
Prix 2,00 €
Disponibilité: 43 Disponibles

FW26025A1 Transistor Darlington PNP Boitier TO3

- Transistor de puissance Darlington
- Courant de collecteur max : 20A
- Tension cillecteur-Base (Vce) (max): 100 V
- Puissance max : 160 W


ideal pour réparation chauffage et climatisation de votre véhicule.
Utilisé dans les véhicules: Citroen Xsara, Xantia, Piccsso, Peugeot 406, Renault Scenic...

Prix 7,50 €
Disponibilité: 5 Disponibles

MJ11016 Transistor Darlington NPN TO-3

MJ11016  Transistor Darlington NPN TO-3

  • Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 120V
  • Courant de collecteur DC: 30A
  • Gain en courant DC hFE: 1000
  • Dissipation de puissance Pd: 200W
Prix 7,00 €
Disponibilité: 10 Disponibles

MJ11015 Transistor Darlington PNP TO-3

MJ11015  Transistor Darlington PNP TO-3

  • Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 120V
  • Courant de collecteur DC: 30A
  • Gain en courant DC hFE: 1000
  • Dissipation de puissance Pd: 200W
Prix 7,00 €
Disponibilité: 7 Disponibles

Transistor NPN BC547C

  • Type : NPN
  • Collector-Emitter Voltage : 45V
  • Collector Current (DC) (Max) : 100mA
  • Emitter-Base Voltage (Max) : 6V
  • Collector-Base Voltage (Max) : 50V
  • Power Dissipation : 0.5W

 

Prix 0,40 €
Disponibilité: 2 Disponibles

Transistor PNP BC557C

Type : PNP

Vceo -45Vdc
Vcbo -50Vdc
Vebo -5Vdc
Ptot 500mW
Boitier TO-92
Image non contractuel
Prix 0,40 €
Disponibilité: 224 Disponibles

2SC1815 Transistor NPN TO92

  • Collector-Emitter Volt (Vceo): 50V
  • Collector-Base Volt (Vcbo): 60V
  • Collector Current (Ic): 0.15A
  • hfe: 70-700 @ 2mA
  • Power Dissipation (Ptot): 400mW
  • Current-Gain-Bandwidth (ftotal): 80MHz
  • Type: NPN

Voir Datasheet

Prix 0,15 €
Disponibilité: 44 Disponibles

IRL3705NS Transistor format:D2PAK

Type:     IRL3705NS
Modèle:Canal N
Boîtier:D2PAK
ID:89 A
UDS:55 V
RDS(on):0.01 Ω
ID@HighTemp:63 A
Rth max:0.9 °C/W
Description:50 V/89 A
ID@25°C:89 A

Prix 2,30 €
Disponibilité: 70 Disponibles

2N2219A Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 40 V, 300 MHz, 800 mW, 600 mA, 300 hFE

  • Polarité transistor NPN
  • Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 40V
  • Fréquence de transition ft 300MHz
  • Dissipation de puissance Pd 800mW
  • Courant de collecteur DC 600mA
  • Gain en courant DC hFE 300hFE
  • Type de boîtier de transistor TO-39
  • Nombre de broches 3Broche(s)
  • Température de fonctionnement max.. 175°C
Prix 2,49 €
Disponibilité: 32 Disponibles

2N1893 Transistor simple bipolaire (BJT),NPN, 80 V, 70 MHz, 800 mW, 150 mA, 80 hFE TO-39

  • Polarité transistor NPN
  • Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo 80V
  • Fréquence de transition ft 700MHz
  • Dissipation de puissance Pd 800mW
  • Courant de collecteur DC 150mA
  • Gain en courant DC hFE 80hFE
  • Type de boîtier de transistor TO-39
  • Nombre de broches 3Broche(s)
  • Température de fonctionnement max.. 175°C
Prix 5,49 €
Disponibilité: 6 Disponibles

BD244C Transistor simple bipolaire (BJT), PNP, 100 V, 65 W, 6 A, 30 hFE

BD244C
  • Polarité transistor:PNP
  • Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V
  • Dissipation de puissance Pd:65W
  • Courant de collecteur DC:6A
  • Gain en courant DC hFE:30hFE
  • Type de boîtier de transistor:TO-220
  • Nombre de broches:3Broche(s)
  • Température de fonctionnement max..:150°C
Prix 1,99 €
Disponibilité: 49 Disponibles

IRF740 Transistor de puissance MOSFET 400V

IRF740 Transistor de puissance MOSFET 400V

Boîtier: TO-220. Tension de Drain maxi: 400 V.

Courant de Drain maxi (@25°C): 10 A.

Courant de Drain maxi (@100°C): 6.3 A.

Prix 2,50 €
Disponibilité: 45 Disponibles

47n60c3 Transistor de puissance MOSFET N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3

47n60c3 Transistor de puissance MOSFET N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3

Tension drain-source (Vdss)     650V     
Courant - Drain continu (Id) à 25°C     47 A (Tc)     
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)     10 V     
Dissipation de puissance (max)     415 W (Tc)     
Rds passant (max.) à Id, Vgs     70 mOhms à 30 A, 10 V     
Température d’utilisation     -55 °C ~ 150 °C (TJ)     

Prix 6,90 €
Disponibilité: 32 Disponibles

2SC2625 Transistor NPN de puissance TO-3P

2SC2625 Transistor NPN de puissance TO-3P

  • Collector-Emitter Volt (Vceo): 400V
  • Collector-Base Volt (Vcbo): 450V
  • Collector Current (Ic): 10A
  • hfe: 10 @ 4000mA
  • Power Dissipation (Ptot): 80W
  • Type: NPN
Prix 7,50 €
Disponibilité: 14 Disponibles

BC546B - TRANSISTOR NPN TO-92

  • TRANSISTOR NPN TO-92
  • Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo: 65V
  • Fréquence de transition ft: 300MHz
  • Dissipation de puissance Pd: 500mW
  • Gain en courant DC hFE: 200
  • Température de fonctionnement max..: 150°C
  • MSL: MSL 1 - Illimité
  • Courant, Ic max.. permanent a: 100mA
  • Hfe, min.: 200
  • Tension Collecteur-Emetteur Vces: 250mV
Prix 0,40 €
Disponibilité: 98 Disponibles

P1060ATF NIKOS transistor MOSFET n-channel TO220F

P1060ATF NIKOS transistor  MOSFET n-channel TO220F
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 40 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 600 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V
Maximum Drain Current |Id|: 10 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Rise Time (tr): 30 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 170 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.75 Ohm
Prix 4,50 €
Disponibilité: 5 Disponibles

FQPF5N50C 5N50C transistor MOSFET n-channel TO220F

FQPF5N50C 5N50C transistor  MOSFET n-channel TO220F
Maximum Power Dissipation (Pd): 38 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 500 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V
Maximum Drain Current |Id|: 5 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Total Gate Charge (Qg): 24 nC
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 1.4 Ohm

Prix 4,50 €
Disponibilité: 40 Disponibles

P6NK90ZFP Transistor MOSFET TO-220F

P6NK90ZFP Transistor MOSFET TO-220F
N-channel Power MOSFET, 900V, 1.56 Ohm, 5.8A
Prix 3,50 €
Disponibilité: 47 Disponibles

Transistor PNP BC557A

Transistor PNP  BC557A

Prix 0,40 €
Disponibilité: 100 Disponibles

FQPF5N60C 5N60C transistor MOSFET n-channel TO220F

FQPF5N60C 5N60C transistor  MOSFET n-channel TO220F
Maximum Power Dissipation (Pd): 38 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 600 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V
Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 4 V
Maximum Drain Current |Id|: 5 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Total Gate Charge (Qg): 24 nC
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 1.4 Ohm

Prix 3,00 €
Disponibilité: 100 Disponibles

MDD3752 MOSFET N-CH -40V -43A TO-252

MDD3752 MOSFET N-CH -40V -43A TO-252

Tension Drain-Source (VDSS​) : -40V (Canal P).

Courant de Drain Continu (ID​) : -43A (à TC​=25°C).

Résistance à l'état passant (RDS(on)​) : Très faible, environ 14 m$\Omega$ (à VGS​=−10V).

Boîtier : TO-252 (D-PAK), montage en surface (SMD).

Prix 1,50 €
Disponibilité: 98 Disponibles

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